| 序號 | 代碼 | 股票名稱 | 說明 |
| 1 | SH603290 | 斯達半導 | IGBT模塊、SiC模塊 |
| 2 | SH605111 | 新潔能 | SiC MOSFET、GaN HEMT、半導體功率模塊、智能功率IC、IGBT、屏蔽柵MOSFET(SGTMOSFET)、超結MOSFET(SJMOSFET)、溝槽型MOSFET(TrenchMOSFET) |
| 3 | SH688693 | 鍇威特 | 平面MOSFET、集成快恢復高壓功率MOSFET（FRMOS）、溝槽型MOSFET、超結MOSFET、SiC MOSFET、SiC SBD、PWM控制IC、柵極驅動IC |
| 4 | SH688726 | 拉普拉斯 | 低壓水平硼擴散設備、低壓水平磷擴散設備、低壓水平氧化/退火設備、低壓水平化學氣相沉積鍍膜設備（LPCVD）、等離子增強化學氣相沉積鍍膜設備（PECVD）、擴散/LPCVD/PECVD自動上下料設備、SiC基半導體器件用超高溫氧化爐、SiC基半導體器件用超高溫退火爐、半導體器件用LPCVD、真空釬焊爐、熱場、涂層石英管 |